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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Low threshold current density 1.3 mu m metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser diodes
作者: Wu, D;  Wang, H;  Wu, B;  Ni, H;  Huang, S;  Xiong, Y;  Wang, P;  Han, Q;  Niu, Z;  Tangring, I;  Wang, SM
发表日期: 2008
摘要: Very low threshold current density InGaAs/ GaAs quantum well laser diodes grown by molecular beam epitaxy on InGaAs metamorphic buffers are reported. The lasing wavelength of the ridge waveguide laser diode with cavity length of 1200 mm is centred at 1337.2 nm; the threshold current density is 205 A/cm(2) at room temperature under continuous-wave operation.
KOS主题词: continuous-wave operation
刊名: ELECTRONICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wu, D ; Wang, H ; Wu, B ; Ni, H ; Huang, S ; Xiong, Y ; Wang, P ; Han, Q ; Niu, Z ; Tangring, I ; Wang, SM .Low threshold current density 1.3 mu m metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser diodes ,ELECTRONICS LETTERS,2008 ,44(7): 474-U6
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