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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition
作者: Ma, ZF;  Zhao, DG;  Wang, YT;  Jiang, DS;  Zhang, SM;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Sun, BJ;  Yang, H;  Liang, JW
发表日期: 2008
摘要: The effect of the growth temperature on the surface and interface quality for the GaN/AlN multiquantum well (MQW) layer grown by metal-organic vapour chemical deposition is investigated. The obtained GaN/AlN MQW structure is almost coherent to the underlying AlGaN layer at improved growth conditions. With a relatively low growth temperature, the GaN/AlN MQW growth rate increases, the surface roughness reduces considerably and no macro steps are observed, resulting in a better periodicity of MQW.
KOS主题词: Chrysanthemum morifolium;  INTERLAYERS;  atomic layer deposition
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ma, ZF ; Zhao, DG ; Wang, YT ; Jiang, DS ; Zhang, SM ; Zhu, JJ ; Liu, ZS ; Sun, BJ ; Yang, H ; Liang, JW .The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2008 ,41(10): Art. No. 105106
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