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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Long-wavelength light emission from self-assembled heterojunction quantum dots
作者: Zhou, ZQ;  Xu, YQ;  Hao, RT;  Tang, B;  Ren, ZW;  Niu, ZC
发表日期: 2008
摘要: The authors report the optical characteristics of GaSb/InAs/GaAs self-assembled heterojunction quantum dots (QDs). With increasing GaSb deposition, the room temperature emission wavelength can be extended to 1.56 mu m. The photoluminescence mechanism is considered to be a type-II transition with electrons confined in InAs and holes in GaSb.(C) 2008 American Institute of Physics.
KOS主题词: Chrysanthemum morifolium;  Gallium arsenide;  Development;  Epitaxy
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhou, ZQ ; Xu, YQ ; Hao, RT ; Tang, B ; Ren, ZW ; Niu, ZC .Long-wavelength light emission from self-assembled heterojunction quantum dots ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2008 ,103(9): Art. No. 094315
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