高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate
作者: Cui, JP;  Wang, XF;  Duan, Y;  He, JX;  Zeng, YP
发表日期: 2008
摘要: A 5.35-mu m-thick ZnO film is grown by chemical vapour deposition technique on a sapphire (0001) substrate with a GaN buffer layer. The surface of the ZnO film is smooth and shows many hexagonal features. The full width at half maximum of ZnO (0002) omega-rocking curve is 161 arcsec, corresponding to a high crystal quality of the ZnO film. From the result of x-ray diffraction theta - 2. scanning, the stress status in ZnO film is tensile, which is supported by Raman scattering measurement. The reason of the tensile stress in the ZnO film is analysed in detail. The lattice mismatch and thermal mismatch are excluded and the reason is attributed to the coalescence of grains or islands during the growth of the ZnO film.
KOS主题词: Thin films;  Potential scattering;  Pressure
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
488.pdf1153KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Cui, JP ; Wang, XF ; Duan, Y ; He, JX ; Zeng, YP .Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2008 ,25(6): 2277-2280
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Cui, JP]的文章
 [Wang, XF]的文章
 [Duan, Y]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Cui, JP]的文章
 [Wang, XF]的文章
 [Duan, Y]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发