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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
作者: Zhou ZW;  Li C;  Lai HK;  Chen SY;  Yu JZ
发表日期: 2008
摘要: High-quality Ge epilayer on Si(1 0 0) substrate with an inserted low-temperature Ge seed layer and a thin Si0.77Ge0.23 layer was grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. The epitaxial Ge layer with surface root-mean-square roughness of 0.7 nm and threading dislocation density of 5 x 10(5) cm(-2) was obtained. The influence of low temperature Ge seed layer on the quality of Ge epilayer was investigated. We demonstrated that the relatively higher temperature (350 degrees C) for the growth of Ge seed layer significantly improved the crystal quality and the Hall hole mobility of the Ge epilayer. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: characterization
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhou, ZW ; Li, C ; Lai, HK ; Chen, SY ; Yu, JZ .The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2008 ,310(10): 2508-2513
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