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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electronic structure and optical gain of wurtzite ZnO nanowires
作者: Zhang, XW;  Li, JB;  Li, SS;  Xia, JB
发表日期: 2008
摘要: The electronic structure and optical gain of wurtzite ZnO nanowires are investigated in the framework of effective-mass envelope-function theory. We found that as the elliptical aspect ratio e increases to be larger than a critical value, the hole ground states may change from optically dark to optically bright. The optical gain of ZnO nanowires increases as the hole density increases. For elliptical wire with large e, the y-polarized mode gain can be several thousand cm(-1), while the x-poiarized mode gain may be 26 times smaller than the former, so they can be used as ultraviolet linearly polarized lasers. (C) 2008 American Institute of Physics.
KOS主题词: room temperature;  Quantum wells;  Nanostructured materials;  Development;  arrays;  Lasers;  Wire rope;  Field
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhang, XW ; Li, JB ; Li, SS ; Xia, JB .Electronic structure and optical gain of wurtzite ZnO nanowires ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,92(18): Art. No. 181101
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