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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: First-principle study of extrinsic defects in CuScO2 and CuYO2
作者: Fang, ZJ;  Shi, LJ
发表日期: 2008
摘要: Using first-principles methods, we studied the extrinsic defects doping in transparent conducting oxides CuMO2 (M=Sc, Y). We chose Be, Mg, Ca, Si, Ge, Sn as extrinsic defects to substitute for M and Cu atoms. By systematically calculating the impurity formation energy and transition energy level, we find that Be-Cu is the most prominent extrinsic donor and Ca-M is the prominent extrinsic acceptor. In addition, we find that Mg atom substituting for Sc is the most prominent extrinsic acceptor in CuSCO2. Our calculation results are expected to be a guide for preparing n-type and p-type materials through extrinsic doping in CuMO2 (M=SC, y). (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: doping
刊名: PHYSICS LETTERS A
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Fang, ZJ ; Shi, LJ .First-principle study of extrinsic defects in CuScO2 and CuYO2 ,PHYSICS LETTERS A,2008 ,372(21): 3759-3762
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