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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Valence band offset of ZnO/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
作者: Fan, HB;  Sun, GS;  Yang, SY;  Zhang, PF;  Zhang, RQ;  Wei, HY;  Jiao, CM;  Liu, XL;  Chen, YH;  Zhu, QS;  Wang, ZG
发表日期: 2008
摘要: The valence band offset (VBO) of the wurtzite ZnO/4H-SiC heterojunction is directly determined to be 1.61 +/- 0.23 eV by x-ray photoelectron spectroscopy. The conduction band offset is deduced to be 1.50 +/- 0.23 eV from the known VBO value, which indicates a type-II band alignment for this heterojunction. The experimental VBO value is confirmed and in good agreement with the calculated value based on the transitive property of heterojunctions between ZnO, SiC, and GaN. (C) 2008 American Institute of Physics.
KOS主题词: Development;  Diodes
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Fan, HB ; Sun, GS ; Yang, SY ; Zhang, PF ; Zhang, RQ ; Wei, HY ; Jiao, CM ; Liu, XL ; Chen, YH ; Zhu, QS ; Wang, ZG .Valence band offset of ZnO/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,92(19): Art. No. 192107
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