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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
作者: Wang, H;  Jiang, DS;  Wang, LL;  Sun, X;  Liu, WB;  Zhao, DG;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Wang, YT;  Zhang, SM;  Yang, H
发表日期: 2008
摘要: This work presents a study of the correlation between the electrical properties and the structural defects in nominally undoped InN films. It is found that the density of edge-type threading dislocations (TDs) considerably affects the electron concentration and mobility in InN films. The Hall-effect measured electron concentration increases, while the Hall mobility decreases with the increase in the edge-type TD density. With the combination of secondary ion mass spectrometry and positron annihilation analysis, we suggest that donor-type point defects at the edge-type TD lines may serve as dominant donors in InN films and affect the carrier mobility.
KOS主题词: atomic layer deposition;  dislocation scattering;  Energy bands;  Job vacancies
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang, H ; Jiang, DS ; Wang, LL ; Sun, X ; Liu, WB ; Zhao, DG ; Zhu, JJ ; Liu, ZS ; Wang, YT ; Zhang, SM ; Yang, H .Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2008 ,41(13): Art. No. 135403
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