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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High-power quantum-dot superluminescent LED with broadband drive current insensitive emission spectra using a tapered active region
作者: Zhang, ZY;  Hogg, RA;  Jin, P;  Choi, TL;  Xu, B;  Wang, ZG
发表日期: 2008
摘要: High-power and broadband quantum-dot (QD) superluminescent light-emitting diodes are realized by using a combination of self-assembled QDs with a high density, large inhomogeneous broadening, a tapered angled pump region, and etched V groove structure. This broad-area device exhibits greater than 70-nm 3-dB bandwidth and drive current insensitive emission spectra with 100-mW output power under continuous-wave operation. For pulsed operation, greater than 200-mW output power is obtained.
刊名: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhang, ZY ; Hogg, RA ; Jin, P ; Choi, TL ; Xu, B ; Wang, ZG .High-power quantum-dot superluminescent LED with broadband drive current insensitive emission spectra using a tapered active region ,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,2008 ,20(40068): 782-784
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