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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Realization of extremely broadband quantum-dot superluminescent light-emitting diodes by rapid thermal-annealing process
作者: Zhang, ZY;  Hogg, RA;  Xu, B;  Jin, P;  Wang, ZG
发表日期: 2008
摘要: The first demonstration, to our knowledge, of the creation of ultrabroadband superluminescent light-emitting diodes using multiple quantum-dot layer structure by rapid thermal-annealing process is reported. The device exhibits a 3 dB emission bandwidth of 146 nm centered at 984 mm with cw output power as high as 15 mW at room temperature corresponding to an extremely small coherence length of 6.6 mu m. (C) 2008 Optical Society of America.
KOS主题词: Layer
刊名: OPTICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhang, ZY ; Hogg, RA ; Xu, B ; Jin, P ; Wang, ZG .Realization of extremely broadband quantum-dot superluminescent light-emitting diodes by rapid thermal-annealing process ,OPTICS LETTERS,2008 ,33(11): 1210-1212
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