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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electronic energy levels in an asymmetric quantum-dots-in-a-well structure for infrared photodetectors
作者: Wang ZC;  Xu B;  Chen YH;  Shi LW;  Liang ZM;  Wang ZG
发表日期: 2008
摘要: Theoretical calculation of electronic energy levels of an asymmetric InAs/InGaAS/GaAS quantum-dots-in-a-well (DWELL) structure for infrared photodetectors is performed in the framework of effective-mass envelope-function theory. Our calculated results show that the electronic energy levels in quantum dots (QDs) increase when the asymmetry increases and the ground state energy increases faster than the excited state energies. Furthermore, the results also show that the electronic energy levels in QDs decrease as the size of QDs and the width of quantum well (QW) in the asymmetric DWELL structure increase. Additionally, the effects of asymmetry, the size of QDs and the width of QW on the response peak of asymmetry DWELL photodetectors are also discussed.
KOS主题词: absorption
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang, ZC ; Xu, B ; Chen, YH ; Shi, LW ; Liang, ZM ; Wang, ZG .Electronic energy levels in an asymmetric quantum-dots-in-a-well structure for infrared photodetectors ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2008 ,25(7): 2645-2648
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