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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: An evidence of defect gettering in GaN
作者: Majid A;  Ali A;  Zhu JJ;  Wang YT;  Yang H
发表日期: 2008
摘要: The effect of Neon ion implantation on the structural and optical properties of MOCVD grown GaN was studied. X-ray diffraction and low temperature photoluminescence measurements were carried out on the implanted samples annealed at 900 degrees C. The peak at 3.41 eV exhibited an interesting behavior in as-grown and the implanted samples. Annealing has enhanced the intensity of this peak in as-grown samples, but suppressed in all the implanted samples. Capturing of defects by cavities during gettering process is interpreted as the reason for the observed behavior of this luminescence peak. Implantation dose of 5 x 10(15) ions/cm(2) caused the complete quenching of yellow band luminescence. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.
刊名: PHYSICA B-CONDENSED MATTER
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Majid A ; Ali A ; Zhu JJ ; Wang YT ; Yang H .An evidence of defect gettering in GaN ,PHYSICA B-CONDENSED MATTER,2008 ,403(13-16): 2495-2499
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