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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Mn-including InAs quantum dots fabricated by Mn implantation
作者: Hu, LJ;  Chen, YH;  Ye, XL;  Jiao, YH;  Shi, LW;  Wang, ZG
发表日期: 2008
摘要: Mn-including InAs quantum dots (QDs) were fabricated by Mn-ion implantation and subsequent annealing. The optical, compositional, and structural properties of the treated samples were analyzed by photoluminescence (PL) and microscopy. Energy dispersive X-ray (EDX) results indicate that Mn ions diffused from the bulk GaAs into the InAs QDs during annealing, and the diffusion appears to be driven by the strain in the InAs QDs. The temperature dependence of the PL of Mn-including InAs QD samples exhibits QDs PL characteristics. At the same time, the heavy Mn-including InAs QD samples have ferromagnetic properties and high T-c. (c) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.
刊名: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Hu, LJ ; Chen, YH ; Ye, XL ; Jiao, YH ; Shi, LW ; Wang, ZG .Mn-including InAs quantum dots fabricated by Mn implantation ,PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES,2008 ,40(9): 2869-2873
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