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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Design of novel three port optical gates scheme for the integration of large optical cavity electroabsorption modulators and evanescently-coupled photodiodes
作者: Liao, ZY;  Yang, H;  Wang, W
发表日期: 2008
摘要: This paper presents a novel scheme to monolithically integrate an evanescently-coupled uni-travelling carrier photodiode with a planar short multimode waveguide structure and a large optical cavity electroabsorption modulator based on a multimode waveguide structure. By simulation, both electroabsorption modulator and photodiode show excellent optical performances. The device can be fabricated with conventional photolithography, reactive ion etching, and chemical wet etching.
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liao, ZY ; Yang, H ; Wang, W .Design of novel three port optical gates scheme for the integration of large optical cavity electroabsorption modulators and evanescently-coupled photodiodes ,CHINESE PHYSICS B,2008 ,17(7): 2557-2561
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