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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: n-type Ge-SiGe quantum cascade structure utilizing quantum wells for electrons in the L and Gamma valleys
作者: Han, GQ;  Yu, JZ;  Liu, Y
发表日期: 2008
摘要: In this letter, we propose an n-type vertical transition bound-to-continuum Ge-SiGe quantum cascade structure utilizing electronic quantum wells in the L and F valleys of the Ge layers. The optical transition levels are located in the quantum wells in the L valley. Under a bias of 80 kV/cm, the carriers in the lower level are extracted by miniband transport and L - Gamma tunneling into the subband in the Gamma well of the next period. And then the electrons are injected into the upper level by ultrafast intervalley scattering, which not only effectively increases the tunneling rate and suppresses the thermal backfilling of electrons, but also enhances the injection efficiency of the upper level. The performance of the laser is discussed.
刊名: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Han, GQ ; Yu, JZ ; Liu, Y .n-type Ge-SiGe quantum cascade structure utilizing quantum wells for electrons in the L and Gamma valleys ,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,2008 ,20(39941): 419-421
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