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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors
作者: Zhou, M;  Zhao, DG
发表日期: 2008
摘要: We investigated the influence of thickness of p-GaN layer on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetector. Through the simulation calculation, it was found that both the quantum efficiency and dark current of device decrease when employing thicker p-GaN layer, while both the quantum efficiency and dark current increase with decreasing thickness of p-GaN layer. It is suggested that the Schottky contact junction between the metal and p-GaN may be responsible for the incompatible effect. We has to make a suitable choice of the thickness of p-GaN in the device design according to the application requirement.
KOS主题词: QUANTUM EFFICIENCY;  Thermionic emission
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhou, M ; Zhao, DG .Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors ,ACTA PHYSICA SINICA,2008 ,57(7): 4570-4574
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