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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Voltage tunable two-color InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector
作者: Ma WQ;  Yang XJ;  Chong M;  Yang T;  Chen LH;  Shao J;  Lu X;  Lu W;  Song CY;  Uo HC
发表日期: 2008
摘要: We report a bias voltage tunable two-color InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector working under the normal incidence infared irradiation. The two-color detection of our device is realized by combining a photovoltaic and a photoconductive response by bias voltage tuning. The photovoltaic response is attributed to the transition of electron from the ground state to a high continuum state. The photoconductive response arises from the transition of electron from the ground state to the wetting layer state through the barrier via Fowler-Nordheim tunneling evidenced by a broad feature of the photocurrent peak on the high energy side. (C) 2008 American Institute of Physics.
KOS主题词: detector
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ma, WQ ; Yang, XJ ; Chong, M ; Yang, T ; Chen, LH ; Shao, J ; Lu, X ; Lu, W ; Song, CY ; Uo, HC .Voltage tunable two-color InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,93(1): Art. No. 013502
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