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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: First-principles study of defects in CuGaO2
作者: Fang, ZJ;  Fang, C;  Shi, LJ;  Liu, YH;  He, MC
发表日期: 2008
摘要: Using the first-principles methods, we study the electronic structure, intrinsic and extrinsic defects doping in transparent conducting oxides CuGaO2. Intrinsic defects, acceptor-type and donor-type extrinsic defects in their relevant charge state are considered. The calculation result show that copper vacancy and oxygen interstitial are the relevant defects in CuGaO2. In addition, copper vacancy is the most efficient acceptor. Substituting Be for Ga is the prominent acceptor, and substituting Ca for Cu is the prominent donors in CuGaO2. Our calculation results are expected to be a guide for preparing n-type and p-type materials in CuGaO2.
KOS主题词: Pulsed laser deposition;  Thin films;  Oxides
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Fang, ZJ ; Fang, C ; Shi, LJ ; Liu, YH ; He, MC .First-principles study of defects in CuGaO2 ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2008 ,25(8): 2997-3000
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