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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Positive magnetoresistance in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well
作者: Shang, LY;  Lin, T;  Zhou, WZ;  Li, DL;  Gao, HL;  Zeng, YP;  Guo, SL;  Yu, GL;  Chu, JH
发表日期: 2008
摘要: Magnetotransport measurements have been carried out on In0.53Ga0.17As/In0.52Al0.48 As quantum wells in a temperature range between 1.5 and 77 K. We have observed a large positive magnetoresistance in the low magnetic field range, but saturating in high magnetic fields. The magnetoresistance results from two occupied subbands in the two-dimensional electron gas. With the intersubband scattering considered, we obtained the subband mobility by analyzing the positive magnetoresistance. It is found that the second subband mobility is larger than that of the first due to the existence of the intersubband scattering.
KOS主题词: Electron gas
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Shang, LY ; Lin, T ; Zhou, WZ ; Li, DL ; Gao, HL ; Zeng, YP ; Guo, SL ; Yu, GL ; Chu, JH .Positive magnetoresistance in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well ,ACTA PHYSICA SINICA,2008 ,57(8): 5232-5236
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