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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electronic states of InAs/GaAs tyre-shape quantum ring
作者: Wang, CD;  Yang, FH;  Feng, SL
发表日期: 2008
摘要: In the framework of the effective mass theory, this paper calculates the electron energy levels of an InAs/GaAs tyre-shape quantum ring (TSQR) by using the plane wave basis. The results show that the electron energy levels are sensitively dependent on the TSQR's section thickness d, and insensitively dependent on TSQR's section inner radius R-1 and TSQR's inner radius R-2. The model and results provide useful information for the design and fabrication of InAs/GaAs TSQRs.
KOS主题词: Energy level
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang, CD ; Yang, FH ; Feng, SL .Electronic states of InAs/GaAs tyre-shape quantum ring ,CHINESE PHYSICS B,2008 ,17(8): 3054-3057
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