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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Blue-green optically pumped GaN-based vertical cavity surface emitting laser
作者: Cai LE;  Zhang JY;  Zhang BP;  Li SQ;  Wang DX;  Shang JZ;  Lin F;  Lin KC;  Yu JZ;  Wang QM
发表日期: 2008
摘要: Blue-green GaN-based vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) were fabricated with two dielectric Ta2O5/SiO2 distributed Bragg reflectors. Lasing action was observed at a wavelength of 498.8 nm at room temperature under optical pumping. Threshold energy density and emission linewidth were 189 mJ/cm(2) and 0.15 nm, respectively. The result demonstrates that blue-green VCSELs can be realised using III-nitride semiconductors.
KOS主题词: room temperature
刊名: ELECTRONICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Cai, LE ; Zhang, JY ; Zhang, BP ; Li, SQ ; Wang, DX ; Shang, JZ ; Lin, F ; Lin, KC ; Yu, JZ ; Wang, QM .Blue-green optically pumped GaN-based vertical cavity surface emitting laser ,ELECTRONICS LETTERS,2008 ,44(16): 972-974
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