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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Compact voltage-mode multi-valued literal gate using nanoscale ballistic MOSFETs
作者: Zhang, WC;  Wu, NJ
发表日期: 2008
摘要: A CMOS voltage-mode multi-valued literal gate is presented. The ballistic electron transport characteristic of nanoscale MOSFETs is smartly used to compactly achieve universal radix-4 literal operations. The proposed literal gates have small numbers of transistors and low power dissipations, which makes them promising for future nanoscale multi-valued circuits. The gates are simulated by HSPICE.
KOS主题词: Many-valued logic;  Implementation;  Design
刊名: ELECTRONICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang, WC ; Wu, NJ .Compact voltage-mode multi-valued literal gate using nanoscale ballistic MOSFETs ,ELECTRONICS LETTERS,2008 ,44(16): 968-969
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