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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Valence band offset of MgO/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
作者: Zhang BL;  Cai FF;  Sun GS;  Fan HB;  Zhang PF;  Wei HY;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG
发表日期: 2008
摘要: The valence band offset (VBO) of MgO (111)/4H-SiC heterojunction has been directly measured by x-ray photoelectron spectroscopy. The VBO is determined to be 3.65 +/- 0.23 eV and the conduction band offset is deduced to be 0.92 +/- 0.23 eV, indicating that the heterojunction has a type- I band alignment. The accurate determination of the valence and conduction band offsets is important for the applications of MgO/SiC optoelectronic devices. (C) 2008 American Institute of Physics.
KOS主题词: atomic layer deposition
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang, BL ; Cai, FF ; Sun, GS ; Fan, HB ; Zhang, PF ; Wei, HY ; Liu, XL ; Yang, SY ; Zhu, QS ; Wang, ZG .Valence band offset of MgO/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,93(7): Art. No. 072110
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