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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A GaN photodetector integrated structure for wavelength characterization of ultraviolet light
作者: Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Zhang, SM;  Yang, H
发表日期: 2008
摘要: An interesting GaN photodetector structure, which can be used for characterizing the wavelength of incident ultraviolet light, is proposed. It is composed of two back-to-back integrated diodes, i.e. p-n and p-i-n GaN ultraviolet photodiodes with different spectral response. The wavelength of monochromatic ultraviolet light could be identified by measuring the photocurrent ratio value through a simple electronic circuit.
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhao, DG ; Jiang, DS ; Zhu, JJ ; Liu, ZS ; Zhang, SM ; Yang, H .A GaN photodetector integrated structure for wavelength characterization of ultraviolet light ,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2008 ,23(9): Art. No. 095021
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