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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD
作者: Luo, WJ;  Wang, XL;  Guo, LC;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Ran, JX;  Li, JP;  Li, JM
发表日期: 2008
摘要: Low temperature (LT) AlN interlayers were used to effectively reduce the tension stress and micro-cracks on the surface of the GaN epilayer grown on Si (111) substrate. Optical Microscopy (OM), Atomic Force Microscopy (AFM), Surface Electron Microscopy (SEM) and X-Ray Diffraction (XRD) were employed to characterize these samples grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). In addition, wet etching method was used to evaluate the defect of the GaN epilayer. The results demonstrate that the morphology and crystalline properties of the GaN epilayer strongly depend on the thickness, interlayer number and growth temperature of the LT AlN interlayer. With the optimized LT AlN interlayer structures, high quality GaN epilayers with a low crack density can be obtained. (C) 2008 Elsevier Ltd. All rights reserved.
KOS主题词: interlayer;  Silicon
刊名: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Luo, WJ ; Wang, XL ; Guo, LC ; Xiao, HL ; Wang, CM ; Ran, JX ; Li, JP ; Li, JM .The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD ,SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,2008 ,44(2): 153-159
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