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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots
作者: Dou, XM;  Sun, BQ;  Xiong, YH;  Huang, SS;  Ni, HQ;  Niu, ZC
发表日期: 2008
摘要: We investigate the temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots systematically. As temperature increases, the exciton emission peak for single quantum dot shows broadening and redshift. For ensemble quantum dots, however, the exciton emission peak shows narrowing and fast redshift. We use a simple steady-state rate equation model to simulate the experimental data of photoluminescence spectra. It is confirmed that carrier-phonon scattering gives the broadening of the exciton emission peak in single quantum dots while the effects of carrier thermal escape and retrapping play an important role in the narrowing and fast redshift of the exciton emission peak in ensemble quantum dots.
KOS主题词: line shape;  emission;  Density
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Dou, XM ; Sun, BQ ; Xiong, YH ; Huang, SS ; Ni, HQ ; Niu, ZC .Temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2008 ,25(9): 3440-3443
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