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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
作者: Luo, WJ;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Ran, JX;  Guo, LC;  Li, JP;  Liu, HX;  Chen, YL;  Yang, FH;  Li, JM
发表日期: 2008
摘要: AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) hetero-structures were grown on the 2-in Si (1 1 1) substrate using metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Low-temperature (LT) AlN layers were inserted to relieve the tension stress during the growth of GaN epilayers. The grown AlGaN/GaN HEMT samples exhibited a maximum crack-free area of 8 mm x 5 mm, XRD GaN (0 0 0 2) full-width at half-maximum (FWHM) of 661 arcsec and surface roughness of 0.377 nm. The device with a gate length of 1.4 mu m and a gate width of 60 mu m demonstrated maximum drain current density of 304 mA/mm, transconductance of 124 mS/mm and reverse gate leakage current of 0.76 mu A/mm at the gate voltage of -10 V. (C) 2008 Published by Elsevier Ltd.
刊名: MICROELECTRONICS JOURNAL
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Luo, WJ ; Wang, XL ; Xiao, HL ; Wang, CM ; Ran, JX ; Guo, LC ; Li, JP ; Liu, HX ; Chen, YL ; Yang, FH ; Li, JM .Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD ,MICROELECTRONICS JOURNAL,2008 ,39(9): 1108-1111
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