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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Study of valence intersubband absorption in tensile strained Si/SiGe quantum wells
作者: Lin GJ;  Lai HK;  Li C;  Chen SY;  Yu JZ
发表日期: 2008
摘要: The hole subband structures and effective masses of tensile strained Si/Si1-yGey quantum wells are calculated by using the 6x6 k.p method. The results show that when the tensile strain is induced in the quantum well, the light-hole state becomes the ground state, and the light hole effective masses in the growth direction are strongly reduced while the in-plane effective masses are considerable. Quantitative calculation of the valence intersubband transition between two light hole states in a 7nm tensile strained Si/Si0.55Ge0.45 quantum well grown on a relaxed Si0.5Ge0.5 (100) substrates shows a large absorption coefficient of 8400 cm(-1).
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Lin, GJ ; Lai, HK ; Li, C ; Chen, SY ; Yu, JZ .Study of valence intersubband absorption in tensile strained Si/SiGe quantum wells ,CHINESE PHYSICS B,2008 ,17(9): 3479-3483
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