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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Structure and magnetic characteristics of nonpolar a-plane GaN : Mn films
作者: Sun, LL;  Yan, FW;  Gao, HY;  Zhang, HX;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Li, JM
发表日期: 2008
摘要: Diluted magnetic nonpolar GaN:Mn films have been fabricated by implanting Mn ions into unintentionally doped nonpolar a-plane (1 1 (2) over bar 0) GaN films with a subsequent rapid thermal annealing (RTA) process. The structure, morphology and magnetic characteristics of the samples were investigated by means of high-resolution x-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and a superconducting quantum interference device (SQUID), respectively. The XRD analysis shows that the RTA process can effectively recover the crystal deterioration caused by the implantation process and that there is no obvious change in the lattice parameter for the as-annealed sample. The SQUID result indicates that the as-annealed sample shows ferromagnetic properties and magnetic anisotropy at room temperature.
KOS主题词: Aluminum oxide;  Property;  Ownership
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun, LL ; Yan, FW ; Gao, HY ; Zhang, HX ; Zeng, YP ; Wang, GH ; Li, JM .Structure and magnetic characteristics of nonpolar a-plane GaN : Mn films ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2008 ,41(16): Art. No. 165004
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