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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Development of high-k gate dielectric materials
作者: Wu DQ;  Zhao HS;  Yao JC;  Zhang DY;  Chang AM
发表日期: 2008
摘要: The traditional gate dielectric material Of SiO2 can not satisfy the need of the continuous downscaling of CMOS dimensions. High-K gate dielectric materials have attracted extensive research efforts recently and obtained great progress. In this paper, the developments of high-K gate materials were reviewed. Based on the author's background and research work in the area, the latest achievements of high-K gate dielectric materials on the recrystalization temperature, the low-K interface layer, and the dielectric breakdown and metal gate electrode were introduced in detail.
刊名: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wu, DQ ; Zhao, HS ; Yao, JC ; Zhang, DY ; Chang, AM .Development of high-k gate dielectric materials ,JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS,2008 ,23(5): 865-871
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