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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Anomalous photogalvanic effect of circularly polarized light incident on the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures at room temperature
作者: He, XW;  Shen, B;  Chen, YH;  Zhang, Q;  Han, K;  Yin, CM;  Tang, N;  Xu, FJ;  Tang, CG;  Yang, ZJ;  Qin, ZX;  Zhang, GY;  Wang, ZG
发表日期: 2008
摘要: Under normal incidence of circularly polarized light at room temperature, a charge current with swirly distribution has been observed in the two-dimensional electron gas in Al0.25Ga0.75N/GaN heterostructures. We believe that this anomalous charge current is produced by a radial spin current via the reciprocal spin Hall effect. It suggests a new way to research the reciprocal spin Hall effect and spin current on the macroscopic scale and at room temperature.
KOS主题词: Quantum wells;  conformal symmetry;  Semiconductors
刊名: PHYSICAL REVIEW LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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He, XW ; Shen, B ; Chen, YH ; Zhang, Q ; Han, K ; Yin, CM ; Tang, N ; Xu, FJ ; Tang, CG ; Yang, ZJ ; Qin, ZX ; Zhang, GY ; Wang, ZG .Anomalous photogalvanic effect of circularly polarized light incident on the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures at room temperature ,PHYSICAL REVIEW LETTERS,2008 ,101(14): Art. No. 147402
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