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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Band alignment of InN/GaAs heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy
作者: Zhang, RQ;  Guo, Y;  Song, HP;  Liu, XL;  Yang, SY;  Wei, HY;  Zhu, QS;  Wang, ZG
发表日期: 2008
摘要: The valence band offset (VBO) of the InN/GaAs heterojunction is directly determined by x-ray photoelectron spectroscopy to be 0.94 +/- 0.23 eV. The conduction band offset is deduced from the known VBO value to be 1.66 +/- 0.23 eV, and a type-II band alignment forms at the InN/GaAs heterojunction. (C) 2008 American Institute of Physics.
KOS主题词: Photoelectron spectroscopy;  Continuity
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang, RQ ; Guo, Y ; Song, HP ; Liu, XL ; Yang, SY ; Wei, HY ; Zhu, QS ; Wang, ZG .Band alignment of InN/GaAs heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,93(12): Art. No. 122111
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