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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Single-photon-emitting diode at liquid nitrogen temperature
作者: Dou XM;  Chang XY;  Sun BQ;  Xiong YH;  Niu ZC;  Huang SS;  Ni HQ;  Du Y;  Xia JB
发表日期: 2008
摘要: We report on the study of a single-photon-emitting diode at 77 K. The device is composed of InAs/GaAs quantum dots embedded in the i-region of a p-i-n diode structure. The high signal to noise ratio of the electroluminescence, as well as the small second order correlation function at zero-delay g((2))(0), implies that the device has a low multiphoton emission probability. By comparing the device performances under different excitation conditions, we have, in detail, discussed the basic parameters, such as signal to noise ratio and g((2))(0), and provided some useful information for the future application. (c) 2008 American Institute of Physics.
KOS主题词: Quantum dot
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Dou, XM ; Chang, XY ; Sun, BQ ; Xiong, YH ; Niu, ZC ; Huang, SS ; Ni, HQ ; Du, Y ; Xia, JB .Single-photon-emitting diode at liquid nitrogen temperature ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,93(10): Art. No. 101107
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