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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Interface as the origin of ferromagnetism in cobalt doped ZnO film grown on silicon substrate
作者: Yin ZG;  Chen NF;  Li Y;  Zhang XW;  Bai YM;  Chai CL;  Xie YN;  Zhang J
发表日期: 2008
摘要: We have investigated the magnetic properties of Co-doped zinc oxide (ZnO) film deposited on silicon substrate by magnetron sputtering. Co ions have a valence of 2+ and substitute for Zn sites in the lattice. By using a chemical etching method, an extrinsic ferromagnetism was demonstrated. The observed ferromagnetism is neither associated with magnetic precipitates nor with contamination, but originates from the silicon/silicon oxide interface. This interface ferromagnetism is characterized by being temperature independent and by having a parallel magnetic anisotropy. (C) 2008 American Institute of Physics. [DOI: 10.1063/1.2989128]
KOS主题词: Magnetic properties
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Yin, ZG ; Chen, NF ; Li, Y ; Zhang, XW ; Bai, YM ; Chai, CL ; Xie, YN ; Zhang, J .Interface as the origin of ferromagnetism in cobalt doped ZnO film grown on silicon substrate ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,93(14): Art. No. 142109
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