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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electronic structure and optical properties of GaN with Mn-doping
作者: Xing, HY;  Fan, GH;  Zhao, DG;  He, M;  Zhang, Y;  Zhou, TM
发表日期: 2008
摘要: Calculations of the electronic structure and the density of states of GaN with Mn are carried out by means of first-principles plane-wave pesudopotential method based on density functional theory. The results reveal a 100% spin polarized impurity band in band structure of Ga1-xMnxN due to hybridization of Mn 3d and N 2p orbitals. The material is half metallic and suited for spin injectors. In addition, a peak of refractive index can be observed near the energy gap. The absorption coefficient increases in the UV region with the increase of the Mn content.
KOS主题词: Electronic structure;  Optical properties
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xing, HY ; Fan, GH ; Zhao, DG ; He, M ; Zhang, Y ; Zhou, TM .Electronic structure and optical properties of GaN with Mn-doping ,ACTA PHYSICA SINICA,2008 ,57(10): 6513-6519
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