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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Comment on
作者: Zhou ZW;  Li C;  Chen SY;  Lai HK;  Yu JZ
发表日期: 2008
摘要: In a recent letter, Hsieh reported the growth of high-quality Ge epilayers with a SiGe buffer thickness of only 0.45 mu m, a surface root-mean-square roughness of less than 0.4 nm, and a threading dislocation of 7.6 x 10(6) cm(-2) on Si+ pre-ion-implantation Si substrate utilizing of strain relaxation enhancement by point defects and interface blocking of the dislocations. Our comment has focused on x-ray diffraction data shown in Fig. 3 of Ref. 1. We demonstrate that the strain in Ge epilayers is tensile, rather than compressive as misunderstood by the authors. (C) 2008 American Institute of Physics. [DOI: 10.1063/1.3003873]
KOS主题词: Expansion of liquids
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhou, ZW ; Li, C ; Chen, SY ; Lai, HK ; Yu, JZ .Comment on
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