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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Sixfold symmetry of excitonic transition energies in c-plane for wurtzite GaN
作者: Hao GD;  Chen YH;  Hao YF
发表日期: 2008
摘要: The optical properties of the strained wurtzite GaN are investigated theoretically within the nearest neighbor tight-binding method. The piezoelectric effect is also taken into account. The empirical rule has been used in the strained band-structure calculation. The results show that the excitonic transition energies are anisotropic in the c-plane in a high electronic concentration system and have a 60 degrees periodicity, which is in agreement with experiment. (C) 2008 American Institute of Physics. [DOI: 10.1063/1.3001937]
KOS主题词: Light emitting diodes
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Hao, GD ; Chen, YH ; Hao, YF .Sixfold symmetry of excitonic transition energies in c-plane for wurtzite GaN ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,93(15): Art. No. 151111
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