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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Cathodoluminescence study of GaN-based film structures
作者: Jiang DS;  Jahn U;  Chen J;  Li DY;  Zhang SM;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Yang H;  Ploog K
发表日期: 2008
摘要: GaN films grown on sapphire substrate with an emphasis on epitaxial lateral overgrown (ELOG) layers with an array of rhombic shaped mask area as well as InGaN/GaN MQW laser diode layer structures were investigated by cathodoluminescence (CL) spectroscopy and CL imaging at room and low temperatures. The microscopic imaging with a high-spatial resolution clearly reveals the distribution of threading dislocations and point defects in ELOG GaN films. The secondary electron and CL data measured on cleaved faces of laser diodes are analyzed in consideration with luminescence mechanisms in semiconductor heterostructures and around the p - n junction, providing important information on the defects and carrier dynamics in laser diode devices.
刊名: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Jiang, DS ; Jahn, U ; Chen, J ; Li, DY ; Zhang, SM ; Zhu, JJ ; Zhao, DG ; Liu, ZS ; Yang, H ; Ploog, K .Cathodoluminescence study of GaN-based film structures ,JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2008 ,19(): S58-S63 Suppl. 1
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