高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of Si doping on magnetic properties of (Ga,Mn)As
作者: Wang WZ;  Deng JJ;  Lu J;  Chen L;  Ji Y;  Zhao JH
发表日期: 2008
摘要: We have systematically investigated the magnetic properties of Si-doped (Ga,Mn)As films. When the Si content is low, both Curie temperature (T-C) and carrier density (p) decrease compared with undoped (Ga,Mn)As, whereas a monotonic increase of T-C and p is observed with further increase in the doping content of Si. We discuss the possible mechanism for the changes obtained by different Si doping contents and attribute the results to a competition between the existence of Si-Ga (Si substitutes for Ga site) that acts as a donor and Si-I (Si interstitials) which is in favor of the improvement of ferromagnetism. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Magnetic semiconductors
刊名: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
351.pdf598KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Wang, WZ ; Deng, JJ ; Lu, J ; Chen, L ; Ji, Y ; Zhao, JH .Influence of Si doping on magnetic properties of (Ga,Mn)As ,PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES,2008 ,41(1): 84-87
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Wang WZ]的文章
 [Deng JJ]的文章
 [Lu J]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Wang WZ]的文章
 [Deng JJ]的文章
 [Lu J]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发