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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Directional emission InP/GaInAsP square-resonator microlasers
作者: Huang YZ;  Che KJ;  Yang YD;  Wang SJ;  Du Y;  Fan ZC
发表日期: 2008
摘要: InP/GaInAsP square-resonator microlasers with an output waveguide connected to the midpoint of one side of the square are fabricated by standard photolithography and inductively-coupled-plasma etching technique. For a 20-mu m-side square microlaser with a 2-mu m-wide output waveguide, cw threshold current is 11 mA at room temperature, and the highest mode Q factor is 1.0 X 10(4) measured from the mode linewidth at the injection current of 10 mA. Multimode oscillation is observed with the lasing mode wavelength 1546 nm and the side-mode suppression ratio of 20 dB at the injection current of 15 mA. (C) 2008 Optical Society of America
刊名: OPTICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Huang, YZ ; Che, KJ ; Yang, YD ; Wang, SJ ; Du, Y ; Fan, ZC .Directional emission InP/GaInAsP square-resonator microlasers ,OPTICS LETTERS,2008 ,33(19): 2170-2172
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