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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells
作者: Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Zhang, SM;  Wang, YT;  Yang, H
发表日期: 2008
摘要: Effects of interface roughness and dislocation density on the electroluminescence (EL) intensity of InGaN multiple quantum wells (MQWs) are investigated. It is found that the EL intensity increases with the number of satellite peaks in the x-ray diffraction experiments of InGaN MQW samples. It is indicated that the rough interface will lead the reduction of EL intensity of InGaN MQW samples. It is also found that the EL intensity increases with the decrease of dislocation density which is characterized by the x-ray diffraction measurements. It is suggested that the EL intensity of InGaN MQWs can be improved by decreasing the interface roughness and dislocation density.
KOS主题词: X-ray crystallography;  Dependency;  Photoluminescence;  Development;  Photography--Films;  Finite volume method
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhao, DG ; Jiang, DS ; Zhu, JJ ; Liu, ZS ; Zhang, SM ; Wang, YT ; Yang, H .Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2008 ,25(11): 4143-4146
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