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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Uniaxial Strain Effects on Optical Properties of c-plane Wurtzite GaN
作者: Hao, GD;  Chen, YH
发表日期: 2008
摘要: We investigate the uniaxial strain effect in the c-plane on optical properties of wurtzite GaN based on k center dot p theory, the spin-orbit interactions are also taken into account. The energy dispersions show that the uniaxial strain in the c-plane gives an anisotropic energy splitting in the k(x) - k(y) plane, which can reduce the density of states. The uniaxial strain also results in giant in-plane optical polarization anisotropy, hence causes the threshold carrier density reduced. We clarify the relations between the uniaxial strain and the optical polarization properties. As a result, it is suggested that the compressive uniaxial strain perpendicular to the laser cavity direction in the c-plane is one of the preferable approaches for the effcient improvement of GaN-based laser performance.
KOS主题词: quantum cascade lasers;  Diodes;  Aluminum oxide
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Hao, GD ; Chen, YH .Uniaxial Strain Effects on Optical Properties of c-plane Wurtzite GaN ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2008 ,25(11): 4139-4142
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