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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of AlN Buffer Thickness on GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia
作者: Lin, GQ;  Zeng, YP;  Wang, XL;  Liu, HX
发表日期: 2008
摘要: Hexagonal GaN is grown on a Si(111) substrate with AlN as a buffer layer by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) with ammonia. The thickness of AlN buffer is changed from 9 to 72 nm. When the thickness of AlN buffer is 36 nm, the surface morphology and crystal quality of GaN is optimal. The in-situ reflection high energy electron diffraction (RHEED) reveals that the transition to a two-dimensional growth mode of AlN is the key to the quality of GaN. However, the thickness of AlN buffer is not so critical to the residual in-plane tensile stress in GaN grown on Si(111) by GSMBE for AlN thickness between 9 to 72 nm.
KOS主题词: Reflection high energy electron diffraction;  interlayer;  Pressure;  Nitrides;  Layers;  atomic layer deposition
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Lin, GQ ; Zeng, YP ; Wang, XL ; Liu, HX .Influence of AlN Buffer Thickness on GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2008 ,25(11): 4097-4100
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