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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: First-principle study of native defects in CuScO2 and CuYO2
作者: Fang, ZJ;  Shi, LJ;  Liu, YH
发表日期: 2008
摘要: This paper studies the electronic structure and native defects intransparent conducting oxides CuScO2 and CuYO2 using the first-principle calculations. Some typical native copper-related and oxygen-related defects, such as vacancy, interstitials, and antisites in their relevant charge state are considered. The results of calculation show that, CuMO2 (M = Sc, Y) is impossible to shown-type conductivity ability. It finds that copper vacancy and oxygen interstitial have relatively low formation energy and they are the relevant defects in CuScO2 and CuYO2. Copper vacancy is the most efficient acceptor, and under O-rich condition oxygen antisite also becomes important acceptor and plays an important role in p-type conductivity.
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Fang, ZJ ; Shi, LJ ; Liu, YH .First-principle study of native defects in CuScO2 and CuYO2 ,CHINESE PHYSICS B,2008 ,17(11): 4279-4284
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