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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effects of indium ion implantation on the total dose hardness of fully depleted SOI NMOSFET
作者: Wang, NJ;  Li, N;  Liu, ZL;  Yu, F
发表日期: 2008
摘要: In this work, we investigate the effects of the indium ion implantation towards the back-channel interface on the total dose hardness of the n-channel SOI MOSFET. The results show that the indium implant has slight impact on the normal threshold voltage while preserving low leakage current after irradiation. The advantage is attributed to the narrow as-implanted and postanneal profile of the indium implantation. Two-dimensional simulations have been used to understand the physical mechanisms of the effects.
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang, NJ ; Li, N ; Liu, ZL ; Yu, F .Effects of indium ion implantation on the total dose hardness of fully depleted SOI NMOSFET ,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2008 ,23(12): Art. No. 125015
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