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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Growth temperature dependences of InN films grown by MOCVD
作者: Yang, CB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Zhang, XB;  Hua, GX;  Ran, JX;  Wang, CM;  Li, JP;  Li, JM;  Wang, ZG
发表日期: 2008
摘要: We investigate the growth temperature dependences of InN films grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). Experimental results indicate that growth temperature has a strong effect on the surface morphology, crystalline quality and electrical properties of the InN layer. The increasing growth temperature broadened the v scan's full-width at half-maximum (FWHM) and roughened the surface morphology; whereas the electrical properties improved: As the temperature increased from 460 degrees C to 560 degrees C, room-temperature Hall mobility increased from 98 cm(2)/V s to nearly 800 cm(2)/V s and carrier concentration dropped from 5.29 x 10(19) cm (3) to 0.93 x 10(19) cm (3). The higher growth temperature resulted in more efficient cracking of NH3, which improved Hall mobility and decreased carrier concentration. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Migration, Internal
刊名: APPLIED SURFACE SCIENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Yang, CB ; Wang, XL ; Xiao, HL ; Zhang, XB ; Hua, GX ; Ran, JX ; Wang, CM ; Li, JP ; Li, JM ; Wang, ZG .Growth temperature dependences of InN films grown by MOCVD ,APPLIED SURFACE SCIENCE,2008 ,255(5): 3149-3152 Part 2
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