GaAs基图形衬底上GaAs 和InAs 纳米结构的控位生长
周慧英
学位类型博士
导师王占国
2007
学位授予单位中国科学院半导体研究所
学位授予地点北京
学科领域材料物理与化学
语种中文
公开日期2009-04-13 ; 2009-07-09
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5827
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
周慧英. GaAs基图形衬底上GaAs 和InAs 纳米结构的控位生长[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,2007.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
zhy.pdf(2193KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[周慧英]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[周慧英]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[周慧英]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。