1.3μm In1-x Gax Asx P1-y/InP 应变MQW激光器及偏振补偿的源介质的研究
陈博
学位类型硕士
导师王圩
1996
学位授予单位中国科学院半导体研究所
学位授予地点北京
学科领域半导体物理与半导体器件物理
语种中文
公开日期2009-04-13
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4851
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈博. 1.3μm In1-x Gax Asx P1-y/InP 应变MQW激光器及偏振补偿的源介质的研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,1996.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
33.pdf(1863KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[陈博]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[陈博]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[陈博]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。