高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)0.5In0.5P外延片的生长方法
仲莉; 马骁宇
2009-02-04
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2007-08-02
语种中文
申请号CN200710119872.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4331
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
仲莉,马骁宇. 高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)0.5In0.5P外延片的生长方法[P]. 2009-02-04.
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